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采用RF芯片组的下一代RFID阅读器(组图)

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（时间:2008-5-6 8:36:36 共有人次浏览）

•     UHFRFID 1W 阅读器的RF部分通常包含大量的不同半导体制造工艺的RF元件。本文讨论下一代RFID(射频识别)阅读器如何采用新的集成元件来简化RFID阅读器的设计。

      美国的阅读器具有+30dBm最大输出功率；欧洲的阅读器最大输出为+27dBm；日本的阅读器最大输出功率为+30dBm。当今在美国的大多数1W阅读器是为低密度用户设计的，其发射和带外要求是由FCC确定。对于美国和日本的阅读器可以采用饱和功率放大器(PA)，可使PAE(功率附加效率)在较高的 50%量级。对于欧洲阅读器，功率放大器必须工作在线性区，这可使PAE降低到30%左右。

  

  RFID阅读器的频率方案示于表1。

  RFID阅读器的频率方案　　

      为了减少RFID阅读器RF部分的尺寸，必须增加每个元件的功能。图1示出RFID阅读器的典型框图，并示出集成元件到芯片组的一种可能的方法。

  RFID阅读器的典型框图　　

  

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